CMT04N60GN220 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CMT04N60GN220
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 83 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 5 nC
Tiempo de subida (tr): 7 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 125 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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CMT04N60GN220 Datasheet (PDF)
6.1. Size:341K champion
cmt04n60.pdf
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CMT04N60 POWER MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES This advanced high voltage MOSFET is designed to Higher Current Rating withstand high energy in the avalanche mode and switch Lower Rds(on)efficiently. This new high energy device also offers a Lower Capacitancesdrain-to-source diode with fast recovery time. Designed for Lower Total Gate Charge high voltage, high speed switc
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History: 15NM70L-TM3-T
