CMT04N60GN220 Todos los transistores

 

CMT04N60GN220 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CMT04N60GN220

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm

Encapsulados: TO220

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CMT04N60GN220 datasheet

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CMT04N60GN220

CMT04N60 POWER MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES This advanced high voltage MOSFET is designed to Higher Current Rating withstand high energy in the avalanche mode and switch Lower Rds(on) efficiently. This new high energy device also offers a Lower Capacitances drain-to-source diode with fast recovery time. Designed for Lower Total Gate Charge high voltage, high speed switc

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History: SM2A11NSF

 

 

 

 

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