2SK1289 Todos los transistores

 

2SK1289 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1289
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Qgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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2SK1289 Datasheet (PDF)

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2SK1289

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK1283SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET PACKAGE DRAWING (Unit: mm) DESCRIPTION The 2SK1283 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed or 8.5 MAX.solenoid, motor and lamp driver. 3.2 0.2 2.8 MAX.FEATURES Low on-state resistance RDS(on) = 0.18 MAX. (VGS = 10 V, ID = 2 A) RDS(on) = 0.24 MAX. (VGS = 4 V, ID = 2

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History: NCE50NF130D | PV563BA | IRHM7230 | IPS60R1K0CE | FTK4822

 

 
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