DG2N60-126 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DG2N60-126
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO126
Búsqueda de reemplazo de MOSFET DG2N60-126
DG2N60-126 Datasheet (PDF)
dg2n60.pdf
JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,LtdDG2N60N 201603-AN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET General DescriptionDG2N60N
dg2n65.pdf
DG2N65V1.0N N-CHANNE ENHANCEMENT MODE MOSFET General Description DG2N65N
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: R5005CNJ | QM3018M6
Liste
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