DH100P30F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DH100P30F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 48 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 90 nC
Tiempo de subida (tr): 80 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 790 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.051 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
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DH100P30F Datasheet (PDF)
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DH100P30/DH100P30F/DH100P30I/DH100P30E/DH100P30B/DH100P30D30A 100V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese P-channel Enhanced VDMOSFETs, UsedV -100VDSS =advanced trench technology and design, provide toexcellent R with low gate charge. Which accords RDSON DS(on) TYP) =35mwith the RoHS standard.I = -30AD2 Features Fast Switching Low ON
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