DH100P30E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DH100P30E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 90 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 790 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.051 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET DH100P30E
DH100P30E Datasheet (PDF)
dh100p30.pdf
DH100P30/DH100P30F/DH100P30I/DH100P30E/DH100P30B/DH100P30D30A 100V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese P-channel Enhanced VDMOSFETs, UsedV -100VDSS =advanced trench technology and design, provide toexcellent R with low gate charge. Which accords RDSON DS(on) TYP) =35mwith the RoHS standard.I = -30AD2 Features Fast Switching Low ON
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