FS25SM-10A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FS25SM-10A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: TO3P

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FS25SM-10A datasheet

 ..1. Size:240K  inchange semiconductor
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FS25SM-10A

isc N-Channel MOSFET Transistor FS25SM-10A FEATURES Drain Current I = 25A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.2 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

Otros transistores... FS2KM-12, FS2KM-14A, FS2KM-16A, FS2KM-18A, FS2KMJ-3, FS7KM-14A, FS22SM-9, FS22SM-12A, 7N65, FTP14N50C, FTA14N50C, IPA65R1K5CE, ISL9N310AD3, ISL9N310AD3ST, JCS7N60S, JCS7N60B, JCS7N60C