JCS7N60B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JCS7N60B  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO-262

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de JCS7N60B MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JCS7N60B datasheet

 ..1. Size:755K  jilin sino
jcs7n60s jcs7n60b jcs7n60c jcs7n60f.pdf pdf_icon

JCS7N60B

 0.1. Size:904K  jilin sino
jcs7n60bb jcs7n60sb jcs7n60cb jcs7n60fb.pdf pdf_icon

JCS7N60B

N R N-CHANNEL MOSFET JCS7N60B MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7.0 A VDSS 600 V Rdson-max 1.2 @Vgs=10V Qg-typ 25 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge L

 8.1. Size:600K  jilin sino
jcs7n65.pdf pdf_icon

JCS7N60B

Otros transistores... FS22SM-12A, FS25SM-10A, FTP14N50C, FTA14N50C, IPA65R1K5CE, ISL9N310AD3, ISL9N310AD3ST, JCS7N60S, IRF9540N, JCS7N60C, JCS7N60F, PHP95N03LT, PHB95N03LT, PHE95N03LT, STP100N6F7, STP100NF04L, SVF10N65CFJ