JCS7N60C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JCS7N60C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Encapsulados: TO-220C
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JCS7N60C datasheet
jcs7n60bb jcs7n60sb jcs7n60cb jcs7n60fb.pdf
N R N-CHANNEL MOSFET JCS7N60B MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7.0 A VDSS 600 V Rdson-max 1.2 @Vgs=10V Qg-typ 25 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge L
Otros transistores... FS25SM-10A , FTP14N50C , FTA14N50C , IPA65R1K5CE , ISL9N310AD3 , ISL9N310AD3ST , JCS7N60S , JCS7N60B , IRF9540N , JCS7N60F , PHP95N03LT , PHB95N03LT , PHE95N03LT , STP100N6F7 , STP100NF04L , SVF10N65CFJ , STP10NB20 .
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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