ELM34400AA Todos los transistores

 

ELM34400AA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ELM34400AA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

ELM34400AA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:504K  elm
 elm34400aa.pdf pdf_icon

ELM34400AA

Single N-channel MOSFETELM34400AA-NGeneral description Features ELM34400AA-N uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=10A resistance. Rds(on)

 7.1. Size:654K  elm
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ELM34400AA

Single N-channel MOSFETELM34402AA-NGeneral description Features ELM34402AA-N uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=8A resistance. Rds(on)

 7.2. Size:605K  elm
 elm34404aa.pdf pdf_icon

ELM34400AA

Single N-channel MOSFETELM34404AA-NGeneral description Features ELM34404AA-N uses advanced trench technology to Vds=60Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=5.5A resistance. Rds(on)

 7.3. Size:986K  elm
 elm34403aa-n.pdf pdf_icon

ELM34400AA

Single P-channel MOSFETELM34403AA-NGeneral description Features ELM34403AA-N uses advanced trench technology to Vds=-55Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-4.5A resistance. Rds(on)

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History: AM2336N-T1 | SMOS44N80 | CEF05N6

 

 
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