ELM34601AA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ELM34601AA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ELM34601AA

ELM34601AA Datasheet (PDF)

..1. Size:931K elm
elm34601aa.pdf

Complementary MOSFET ELM34601AA-NGeneral Description Features ELM34601AA-N uses advanced trench N-channel P-channeltechnology to provide excellent Rds(on) Vds=30V Vds=-30Vand low gate charge. Id=7A Id=-6A Rds(on)

7.1. Size:1322K elm
elm34605aa-n.pdf

Complementary MOSFET ELM34605AA-NGeneral Description Features ELM34605AA-N uses advanced trench N-channel P-channeltechnology to provide excellent Rds(on) Vds=30V Vds=-30Vand low gate charge. Id=7A Id=-6A Rds(on)

7.2. Size:973K elm
elm34604aa.pdf

Complementary MOSFET ELM34604AA-NGeneral Description Features ELM34604AA-N uses advanced trench N-channel P-channeltechnology to provide excellent Rds(on) Vds=40V Vds=-40V and low gate charge. Id=7A Id=-5A Rds(on)

7.3. Size:941K elm
elm34600aa.pdf

Complementary MOSFET ELM34600AA-NGeneral Description Features ELM34600AA-N uses advanced trench N-channel P-channeltechnology to provide excellent Rds(on) Vds=30V Vds=-30V and low gate charge. Id=7A Id=-5A Rds(on)

7.4. Size:638K elm
elm34608aa.pdf

Complementary MOSFET ELM34608AA-NGeneral Description Features ELM34608AA-N uses advanced trench N-channel P-channeltechnology to provide excellent Rds(on) Vds=60V Vds=-60Vand low gate charge. Id=4.5A Id=-3.5A Rds(on)

7.5. Size:981K elm
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Complementary MOSFET ELM34603AA-NGeneral Description Features ELM34603AA-N uses advanced trench N-channel P-channeltechnology to provide excellent Rds(on) Vds=30V Vds=-30Vand low gate charge. Id=7A Id=-6A Rds(on)

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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