ELM34604AA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ELM34604AA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 16 nC
Tiempo de subida (tr): 7.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 175 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.028 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ELM34604AA
ELM34604AA Datasheet (PDF)
elm34604aa.pdf
Complementary MOSFET ELM34604AA-NGeneral Description Features ELM34604AA-N uses advanced trench N-channel P-channeltechnology to provide excellent Rds(on) Vds=40V Vds=-40V and low gate charge. Id=7A Id=-5A Rds(on)
elm34605aa-n.pdf
Complementary MOSFET ELM34605AA-NGeneral Description Features ELM34605AA-N uses advanced trench N-channel P-channeltechnology to provide excellent Rds(on) Vds=30V Vds=-30Vand low gate charge. Id=7A Id=-6A Rds(on)
elm34601aa.pdf
Complementary MOSFET ELM34601AA-NGeneral Description Features ELM34601AA-N uses advanced trench N-channel P-channeltechnology to provide excellent Rds(on) Vds=30V Vds=-30Vand low gate charge. Id=7A Id=-6A Rds(on)
elm34600aa.pdf
Complementary MOSFET ELM34600AA-NGeneral Description Features ELM34600AA-N uses advanced trench N-channel P-channeltechnology to provide excellent Rds(on) Vds=30V Vds=-30V and low gate charge. Id=7A Id=-5A Rds(on)
elm34608aa.pdf
Complementary MOSFET ELM34608AA-NGeneral Description Features ELM34608AA-N uses advanced trench N-channel P-channeltechnology to provide excellent Rds(on) Vds=60V Vds=-60Vand low gate charge. Id=4.5A Id=-3.5A Rds(on)
elm34603aa.pdf
Complementary MOSFET ELM34603AA-NGeneral Description Features ELM34603AA-N uses advanced trench N-channel P-channeltechnology to provide excellent Rds(on) Vds=30V Vds=-30Vand low gate charge. Id=7A Id=-6A Rds(on)
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