ELM36403EA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ELM36403EA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.051 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-26
Búsqueda de reemplazo de ELM36403EA MOSFET
ELM36403EA Datasheet (PDF)
elm36403ea.pdf

Single P-channel MOSFETELM36403EA-SGeneral description Features ELM36403EA-S uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-5A resistance. Rds(on)
elm36402ea.pdf

Single N-channel MOSFETELM36402EA-SGeneral description Features ELM36402EA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=6.5A resistance. Rds(on)
elm36400ea.pdf

Single N-channel MOSFETELM36400EA-SGeneral description Features ELM36400EA-S uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=7A resistance. Rds(on)
elm36405ea.pdf

Single P-channel MOSFETELM36405EA-SGeneral description Features ELM36405EA-S uses advanced trench technology to Vds=-20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-5A resistance. Rds(on)
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History: CHM4311JGP | WML06N80M3 | HM7002DM | AP9980GM-HF | AFN2336A
History: CHM4311JGP | WML06N80M3 | HM7002DM | AP9980GM-HF | AFN2336A



Liste
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