ELM51404FA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ELM51404FA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.35 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3.6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.2 V
Carga de la puerta (Qg): 2.3 nC
Tiempo de subida (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 40 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.082 Ohm
Paquete / Cubierta: SC-70
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ELM51404FA
ELM51404FA Datasheet (PDF)
elm51404fa.pdf
Single N-channel MOSFETELM51404FA-SGeneral description Features ELM51404FA-S uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=3.6A resistance. Rds(on) = 82m (Vgs=10V) Rds(on) = 90m (Vgs=4.5V) Rds(on) = 102m (Vgs=2.5V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-source voltage Vds
elm51400fa-s.pdf
Single N-channel MOSFETELM51400FA-SGeneral description Features ELM51400FA-S uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=1.0A resistance. Rds(on)
elm51401fa.pdf
Single P-channel MOSFETELM51401FA-SGeneral description Features ELM51401FA-S uses advanced trench technology Vds=-20Vto provide excellent Rds(on), low gate charge and Id=-1.0Aoperation with gate voltages as low as 1.8V. Rds(on) = 600m (Vgs=-4.5V) Rds(on) = 800m (Vgs=-2.5V) Rds(on) = 1300m (Vgs=-1.8V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limi
elm51402fa.pdf
Single N-channel MOSFETELM51402FA-SGeneral description Features ELM51402FA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=1.0A resistance. Rds(on)
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