ELM51404FA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ELM51404FA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.082 Ohm
Encapsulados: SC-70
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ELM51404FA datasheet
elm51404fa.pdf
Single N-channel MOSFET ELM51404FA-S General description Features ELM51404FA-S uses advanced trench technology to Vds=30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=3.6A resistance. Rds(on) = 82m (Vgs=10V) Rds(on) = 90m (Vgs=4.5V) Rds(on) = 102m (Vgs=2.5V) Maximum absolute ratings Parameter Symbol Limit Unit Drain-source voltage Vds
elm51400fa-s.pdf
Single N-channel MOSFET ELM51400FA-S General description Features ELM51400FA-S uses advanced trench technology to Vds=30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=1.0A resistance. Rds(on)
elm51401fa.pdf
Single P-channel MOSFET ELM51401FA-S General description Features ELM51401FA-S uses advanced trench technology Vds=-20V to provide excellent Rds(on), low gate charge and Id=-1.0A operation with gate voltages as low as 1.8V. Rds(on) = 600m (Vgs=-4.5V) Rds(on) = 800m (Vgs=-2.5V) Rds(on) = 1300m (Vgs=-1.8V) Maximum absolute ratings Parameter Symbol Limi
elm51402fa.pdf
Single N-channel MOSFET ELM51402FA-S General description Features ELM51402FA-S uses advanced trench technology to Vds=20V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=1.0A resistance. Rds(on)
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