ELM53401CA Todos los transistores

 

ELM53401CA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ELM53401CA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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ELM53401CA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1303K  elm
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ELM53401CA

Single P-channel MOSFETELM53401CA-SGeneral description Features ELM53401CA-S uses advanced trench technology to Vds=-20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-1.8A resistance. Rds(on)

 7.1. Size:1264K  elm
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ELM53401CA

Single N-channel MOSFETELM53402CA-SGeneral description Features ELM53402CA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=3.6Aresistance. Rds(on)

 7.2. Size:1276K  elm
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ELM53401CA

Single P-channel MOSFETELM53403CA-SGeneral description Features ELM53403CA-S uses advanced trench technology to Vds=-60Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-3.6A resistance. Rds(on)

 7.3. Size:1827K  elm
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ELM53401CA

Single P-channel MOSFETELM53405CA-SGeneral description Features ELM53405CA-S uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-3.6A resistance. Rds(on)

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History: S80N10RN | IXTH12N120

 

 
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