ELM53404CA-S Todos los transistores

 

ELM53404CA-S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ELM53404CA-S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.082 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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ELM53404CA-S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1556K  elm
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ELM53404CA-S

Single N-channel MOSFETELM53404CA-SGeneral description Features ELM53404CA-S uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=3.6Aresistance. Rds(on)

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ELM53404CA-S

Single N-channel MOSFETELM53402CA-SGeneral description Features ELM53402CA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=3.6Aresistance. Rds(on)

 7.2. Size:1303K  elm
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ELM53404CA-S

Single P-channel MOSFETELM53401CA-SGeneral description Features ELM53401CA-S uses advanced trench technology to Vds=-20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-1.8A resistance. Rds(on)

 7.3. Size:1276K  elm
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ELM53404CA-S

Single P-channel MOSFETELM53403CA-SGeneral description Features ELM53403CA-S uses advanced trench technology to Vds=-60Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-3.6A resistance. Rds(on)

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History: TPM1012R3 | DMN3032LFDB | CEP80N15 | FTK7510 | AM20N15-250B | APT8090BN | H7N1005LS

 

 
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