ELM54801AA Todos los transistores

 

ELM54801AA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ELM54801AA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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ELM54801AA datasheet

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ELM54801AA

Dual P-channel MOSFET ELM54801AA-N General description Features ELM54801AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30V provide excellent Rds(on) and low gate charge. Id=-5A (Vgs=-10V) Rds(on)

 9.1. Size:1276K  elm
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ELM54801AA

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ELM54801AA

Single P-channel MOSFET ELM549407A-N General description Features ELM549407A-N uses advanced trench technology to Vds=-60V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-4.6A resistance. Rds(on)

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ELM54801AA

Complementary MOSFET ELM544539A-N General Description Features ELM544539A-N uses advanced trench technology N-channel to provide excellent Rds(on) and low gate charge. Vds=30V, Id=5.0A, Rds(on)=36m (Vgs=10V) Vds=30V, Id=4.7A, Rds(on)=46m (Vgs=4.5V) P-channel Vds=-30V, Id=-5.4A, Rds(on)=62m (Vgs=-10V) Vds=-30V, Id=-4.2A, Rds(on)=90m (Vgs=-4.5V) Maximum Absol

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History: LSH80R2K8GT | 2SK3092D | SD5400CY | FQB19N20L | BRCS9N20YU

 

 

 

 

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