ELM5E401PA Todos los transistores

 

ELM5E401PA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ELM5E401PA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.27 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.62 Ohm

Encapsulados: SOT-523

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ELM5E401PA datasheet

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ELM5E401PA

Single P-channel MOSFET ELM5E401PA-S General description Features ELM5E401PA-S uses advanced trench technology to Vds=-20V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-0.7A resistance. Rds(on) = 620m (Vgs=-4.5V) Rds(on) = 860m (Vgs=-2.5V) Rds(on) = 1450m (Vgs=-1.8V) Maximum absolute ratings Parameter Symbol Limit Unit Drain-source vo

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ELM5E401PA

Single N-channel MOSFET ELM5E400PA-S General description Features ELM5E400PA-S uses advanced trench technology to Vds=20V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=0.7A resistance. Rds(on) = 360m (Vgs=4.5V) Rds(on) = 420m (Vgs=2.5V) Rds(on) = 560m (Vgs=1.8V) Maximum absolute ratings Parameter Symbol Limit Unit Drain-source voltage V

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ELM5E401PA

Single N-channel MOSFET ELM5E402PA-S General description Features ELM5E402PA-S uses advanced trench technology to Vds=20V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=0.7A resistance. Rds(on) = 360m (Vgs=4.5V) Rds(on) = 420m (Vgs=2.5V) Rds(on) = 560m (Vgs=1.8V) Maximum absolute ratings Parameter Symbol Limit Unit Drain-source voltage V

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History: BRCS60N02DP | G90N04 | YTF150

 

 

 

 

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