ELM5E402PA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ELM5E402PA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.06 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-523

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ELM5E402PA

ELM5E402PA Datasheet (PDF)

..1. Size:381K elm
elm5e402pa.pdf

Single N-channel MOSFETELM5E402PA-SGeneral description Features ELM5E402PA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=0.7Aresistance. Rds(on) = 360m (Vgs=4.5V) Rds(on) = 420m (Vgs=2.5V) Rds(on) = 560m (Vgs=1.8V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-source voltage V

7.1. Size:1304K elm
elm5e400pa.pdf

Single N-channel MOSFETELM5E400PA-SGeneral description Features ELM5E400PA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=0.7Aresistance. Rds(on) = 360m (Vgs=4.5V) Rds(on) = 420m (Vgs=2.5V) Rds(on) = 560m (Vgs=1.8V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-source voltage V

7.2. Size:1300K elm
elm5e401pa.pdf

Single P-channel MOSFETELM5E401PA-SGeneral description Features ELM5E401PA-S uses advanced trench technology to Vds=-20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-0.7A resistance. Rds(on) = 620m (Vgs=-4.5V) Rds(on) = 860m (Vgs=-2.5V) Rds(on) = 1450m (Vgs=-1.8V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-source vo

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