ELM5H1072A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ELM5H1072A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.27 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-723
Búsqueda de reemplazo de ELM5H1072A MOSFET
ELM5H1072A Datasheet (PDF)
elm5h1072a.pdf

Single N-channel MOSFETELM5H1072A-SGeneral description Features ELM5H1072A-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=0.7A (Vgs=2.5V)resistance. Rds(on)
Otros transistores... ELM57800GA , ELM57801GA , ELM58822SA , ELM588822A-S , ELM5B801QA , ELM5E400PA , ELM5E401PA , ELM5E402PA , 2SK3878 , ELM5J400RA , ELM5K8471A , ELM5K8473A , EM6K1 , EM6K31 , EM6K33 , EM6K34 , EM6K6 .
History: PSMN1R6-30BL | IRFS723 | AFN2354 | ME70N03S-G | DH400P06F | IXFT86N30T | IPB180N08S4-02
History: PSMN1R6-30BL | IRFS723 | AFN2354 | ME70N03S-G | DH400P06F | IXFT86N30T | IPB180N08S4-02



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h