ELM5H1072A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ELM5H1072A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.27 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-723
Búsqueda de reemplazo de ELM5H1072A MOSFET
ELM5H1072A Datasheet (PDF)
elm5h1072a.pdf

Single N-channel MOSFETELM5H1072A-SGeneral description Features ELM5H1072A-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=0.7A (Vgs=2.5V)resistance. Rds(on)
Otros transistores... ELM57800GA , ELM57801GA , ELM58822SA , ELM588822A-S , ELM5B801QA , ELM5E400PA , ELM5E401PA , ELM5E402PA , IRF630 , ELM5J400RA , ELM5K8471A , ELM5K8473A , EM6K1 , EM6K31 , EM6K33 , EM6K34 , EM6K6 .
History: VS3628DE-G | MPG08N68P | TPCJ1012 | MPG120N06P | 2SK627 | AO4472
History: VS3628DE-G | MPG08N68P | TPCJ1012 | MPG120N06P | 2SK627 | AO4472



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h