ELM5K8473A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ELM5K8473A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.8 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4.8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Carga de la puerta (Qg): 5 nC
Tiempo de subida (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 45 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.135 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-223
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ELM5K8473A
ELM5K8473A Datasheet (PDF)
elm5k8473a.pdf
Single P-channel MOSFETELM5K8473A-SGeneral description Features ELM5K8473A-S uses advanced trench technology to Vds=-60Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-4.8A resistance. Rds(on) = 135m (Vgs=-10V) Rds(on) = 155m (Vgs=-4.5V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-source voltage Vdss -60 VGate-source voltag
elm5k8471a.pdf
Single N-channel MOSFETELM5K8471A-SGeneral description Features ELM5K8471A-S uses advanced trench technology to Vds=60Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=5.8Aresistance. Rds(on)
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