EM6K34 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EM6K34
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.12 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
Encapsulados: EMT6
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EM6K34 datasheet
em6k34.pdf
0.9V Drive Nch + Nch MOSFET EM6K34 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET EMT6 (6) (5) (4) Features 1) High speed switing. (1) (2) (3) 2) Small package(EMT6). 3)Ultra low voltage drive(0.9V drive). Abbreviated symbol K34 Application Switching Inner circuit (6) (5) (4) Packaging specifications 1 Package Taping Type Code T2R 2
em6k31.pdf
2.5V Drive Nch + Nch MOSFET EM6K31 Dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel MOSFET 6 5 4 Features 1) High speed switing. 2) Small package(EMT6). 3) Low voltage drive(2.5V drive). Abbreviated symbol K31 Application Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code T2R 1 Basic ordering unit (pieces) 800
em6k33.pdf
1.2V Drive Nch + Nch MOSFET EM6K33 Structure Dimensions (Unit mm) ilicon N-channel MOSFET Features 1) High speed switing. 2) Small package(EMT6). 3) Ultra low voltage drive(1.2V drive). Application Switching Abbreviated symbol K33 Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code T2R 1 Basic order
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