ES6U41 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ES6U41
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
Encapsulados: WEMT6
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ES6U41 datasheet
es6u41.pdf
2.5V Drive Nch+SBD MOSFET ES6U41 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET / WEMT6 Schottky barrier diode (6) (5) (4) Features 1) Nch MOSFET and schottky barrier diode- are put in WEMT6 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. (1) (2) (3) 3) Low voltage drive (2.5V drive). 4) Built-in Low VF schottky barrier diode. Abbreviated symbo
es6u42.pdf
2.5V Drive Pch+SBD MOSFET ES6U42 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET / WEMT6 Schottky barrier diode (6) (5) (4) Features 1) Pch MOSFET and schottky barrier diode are put in WEMT6 package. (1) (2) (3) 2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) Low voltage drive (2.5V drive). 4) Built-in Low VF schottky barrier diode. Abbreviated symbol U42
Otros transistores... EM6K34 , EM6K6 , EM6K7 , EMH2314 , EMH2417R , EMH2418R , ES6U2 , ES6U3 , 4435 , ES6U42 , F10F50VX2 , F10V50VX2 , F10W50 , F10W50C , F10W90HVX2 , F11F60C3M , F11F60CPM .
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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