F3V90HVX2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F3V90HVX2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.7 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de F3V90HVX2 MOSFET
F3V90HVX2 Datasheet (PDF)
2sk2664 f3v90hvx2.pdf

SHINDENGENHVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2664Case : TO-220(Unit : mm)( F3V90HVX2 )900V 3AFEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast. Avalanche resistance guaranteed.APPLICATION Switching power supply
Otros transistores... F24W60C3 , F25F60CPM , F31W60CP , F35W60C3 , F39W60CP , F3F90HVX2 , F3S90HVX2 , F3V50VX2 , 75N75 , F47W60C3 , F4F60VX2 , F5018-S , F5020-S , F5041 , F5042 , F5042-S , F5043 .
History: MDI6N60BTH | NDS356AP | RD07MVS1B | OSG60R670DF | AM2308NE | IPP070N06NG | ZXMN10A25KTC
History: MDI6N60BTH | NDS356AP | RD07MVS1B | OSG60R670DF | AM2308NE | IPP070N06NG | ZXMN10A25KTC



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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