F5041 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F5041
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 7 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
Encapsulados: SOP-8
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F5041 datasheet
f5016 f5017 f5018 f5019 f5020 f5021 f5022 f5023 f5028 f5029 f5030 f5031 f5032 f5033 f5038 f5041 f5042 f5043 f5044 f9202 f9203 f9206 f9207 f9208 f9209.pdf
MOSFET / P wer MOSFETs MOSFET P wer MOSFET F T I F T VDSS ID ID (pulse) RDS (on) PD VGSS VGS (th) Device type Max. Typ. Package Net mass Volts Amps. Amps. Ohms ( ) Watts Volts Volts Grams F5018 40 8 - 0.14 15 - - K-pack 0.6 F5019 40 12 - 0.14 30 - - T-pack 1.6 F5020 40 3
f5041.pdf
http //www.fujisemi.com F5041 FUJI Intelligent Power MOSFET Intelligent Power MOSFET Features Outline drawings [mm] Connection Two N-ch power MOSFET circuits SOP-8 Over temperature protection Short circuit protection Low on-resistance High speed switching Applications Solenoid driver Lamp driver Replacements for fuse and relay Maximum ratings and ch
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