F5F50VX2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F5F50VX2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de F5F50VX2 MOSFET
F5F50VX2 Datasheet (PDF)
f5f50vx2.pdf

SHINDENGENVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2185Case : E-packCase : FTO-220(Unit : mm)(F5F50VX2)500V5AFEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast.APPLICATION Switching power supply of AC 100V input High
Otros transistores... F5041 , F5042 , F5042-S , F5043 , F5043-S , F5048 , F5055 , F55NF06 , NCEP15T14 , F5F90HVX2 , F5S90HVX2 , F5V50 , F5V90HVX2 , F60W60CP , F6B52HP , F6F70HVX2 , F7F60C3M .
History: AP6982GM | IRF7484Q | IXTY1N80 | SM3106NSU | AM6411P | HY1804D | BSC072N04LD
History: AP6982GM | IRF7484Q | IXTY1N80 | SM3106NSU | AM6411P | HY1804D | BSC072N04LD



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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