F5F90HVX2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F5F90HVX2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de F5F90HVX2 MOSFET
F5F90HVX2 Datasheet (PDF)
f5f90hvx2.pdf

SHINDENGENHVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2671Case : FTO-220(Unit : mm)( F5F90HVX2 )900V 5AFEATURESInput capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small.The static Rds(on) is small.The switching time is fast.Avalanche resistance guaranteed.APPLICATIONSwitching power supply of AC 240V inputH
Otros transistores... F5042 , F5042-S , F5043 , F5043-S , F5048 , F5055 , F55NF06 , F5F50VX2 , MMIS60R580P , F5S90HVX2 , F5V50 , F5V90HVX2 , F60W60CP , F6B52HP , F6F70HVX2 , F7F60C3M , F7W90HVX2 .
History: H7N0203AB | BUK9511-55A | CES2303 | H7P1006MD90TZ | IXTK82N25P | FDS4435-NL | TPM2008P3
History: H7N0203AB | BUK9511-55A | CES2303 | H7P1006MD90TZ | IXTK82N25P | FDS4435-NL | TPM2008P3



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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