F5S90HVX2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F5S90HVX2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm
Paquete / Cubierta: STO-220
Búsqueda de reemplazo de F5S90HVX2 MOSFET
F5S90HVX2 Datasheet (PDF)
f5s90hvx2.pdf

SHINDENGENHVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2670Case : STO-220(Unit : mm)( F5S90HVX2 )900V 5AFEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast. Avalanche resistance guaranteed.APPLICATION Switching power supply
Otros transistores... F5042-S , F5043 , F5043-S , F5048 , F5055 , F55NF06 , F5F50VX2 , F5F90HVX2 , 60N06 , F5V50 , F5V90HVX2 , F60W60CP , F6B52HP , F6F70HVX2 , F7F60C3M , F7W90HVX2 , FA38SA50LCP .
History: 3SK15 | IRFIZ24E | 3SK181 | SM3319NSQA | WMO4N65D1B | CM10N40 | F5001H
History: 3SK15 | IRFIZ24E | 3SK181 | SM3319NSQA | WMO4N65D1B | CM10N40 | F5001H



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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