FC4A22050L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FC4A22050L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1500 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Paquete / Cubierta: MBGA004
- Selección de transistores por parámetros
FC4A22050L Datasheet (PDF)
fc4a22050l.pdf

FC4A22050LFC4A22050LGate Resistor installed Dual N-Channel MOS TypeUnit: mm For lithium-ion secondary battery protection circuit Features Low source-source ON resistance:Rss(on)typ .= 19.5 m (VGS = 4.5V) CSP package:smallest & thinnest size Halogen-free / RoHS compliant(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant) Marking Symbol: 11 Packaging 1. Source (FET1)
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: HIRF740F | WMS04N10T1 | OSG80R650AF | P9515BD | AOTF7N70 | STP6NK60Z | STL12N65M2
History: HIRF740F | WMS04N10T1 | OSG80R650AF | P9515BD | AOTF7N70 | STP6NK60Z | STL12N65M2



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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