FC591301 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FC591301
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Encapsulados: SSMINI5-F4-B
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FC591301 datasheet
fc591301.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). FC591301 Silicon N-channel MOS FET For switching circuits Overview Package FC591301 is N-channel dual type small signal MOS FET employed small size Code surface mounting package. SSMini5-F4-B Package dimension clicks here. Click! Features Low drain-source ON resistance RDS(on) typ. = 2 W (VGS = 4.
fc591601.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). FC591601 Silicon N-channel MOS FET For switching circuits Overview Package FC591601 is N-channel dual type small signal MOS FET employed small size Code surface mounting package. SSMini5-F4-B Package dimension clicks here. Click! Features Low drain-source ON resistance RDS(on) typ. = 6 W (VGS = 4.
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History: BUK9Y3R5-40E | AO7400
History: BUK9Y3R5-40E | AO7400
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