FC8V3303 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FC8V3303
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 33 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: WMINI8-F1
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FC8V3303 Datasheet (PDF)
fc8v3303.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FC8V3303Silicon N-channel MOS FETFor DC-DC converter circuits Overview Package CodeFC8V3303 is the N-channel dual type MOSFET which is the most suitable for DC-DC converter circuits. WMini8-F1Package dimension clicks here. Click! Features N-channel dual type Pin Name Low drain-source
fc8v36060l.pdf
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fc8v36120l.pdf
Doc No. TT4-EA-14980Revision. 1Product StandardsMOS FETFC8V36120LFC8V36120LDual N-channel MOS FET Package dimensionUnit: mmFor lithium-ion secondary battery protection circuitsFor load switching 2.90.3 0.168 7 6 5 Features Low drain-source ON resistance:RDS(on) typ. = 50 m (VGS = 4.5 V) Low drive voltage: 2.5 V drive RoHS compliant (EU RoHS / UL-94
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Liste
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