FC8V36120L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FC8V36120L
   Código: M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: WMINI8-F1

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FC8V36120L

FC8V36120L Datasheet (PDF)

..1. Size:2575K panasonic
fc8v36120l.pdf

Doc No. TT4-EA-14980Revision. 1Product StandardsMOS FETFC8V36120LFC8V36120LDual N-channel MOS FET Package dimensionUnit: mmFor lithium-ion secondary battery protection circuitsFor load switching 2.90.3 0.168 7 6 5 Features Low drain-source ON resistance:RDS(on) typ. = 50 m (VGS = 4.5 V) Low drive voltage: 2.5 V drive RoHS compliant (EU RoHS / UL-94

8.1. Size:3043K panasonic
fc8v36060l.pdf

Doc No. TT4-EA-14952Revision. 1Product StandardsMOS FETFC8V36060LFC8V36060LSingle N-channel MOS FETUnit: mm For lithium-ion secondary battery protection circuits2.9For load switching0.3 0.168 7 6 5 Features Low drain-source ON resistance:RDS(on) typ. = 70 mVGS = 4.5 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1 compliant)1 2 3 4(

9.1. Size:397K panasonic
fc8v3303.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FC8V3303Silicon N-channel MOS FETFor DC-DC converter circuits Overview Package CodeFC8V3303 is the N-channel dual type MOSFET which is the most suitable for DC-DC converter circuits. WMini8-F1Package dimension clicks here. Click! Features N-channel dual type Pin Name Low drain-source

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