FK350301 Todos los transistores

 

FK350301 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FK350301
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMINI3-F2-B
 

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FK350301 Datasheet (PDF)

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FK350301

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FK350301Silicon N-channel MOS FETFor switching circuits Overview PackageFK350301 is N-channel small signal MOS FET employed small size surface Codemounting package. SMini3-F2-BPackage dimension clicks here. Click! Features Low drain-source ON resistance: RDS(on) typ. = 2 W (VGS = 4.0 V) Pin

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FK350301

Doc No. TT4-EA-12624Revision. 3Product StandardsMOS FETFK3506010LFK3506010LSilicon N-channel MOS FETUnit : mm For switching2.0FK330601 in SMini3 type package 0.3 0.133 Features Low drive voltage : 2.5 V drive Halogen-free / RoHS compliant(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant)12 Marking Symbol :CV0.9(0.65)(0.65) Packaging1.3 Emb

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FK350301

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FK350601Silicon N-channel MOS FETFor switching circuits Overview PackageFK350601 is N-channel small signal MOS FET employed small size surface Codemounting package. SMini3-F2-B Pin Name Features 1: Gate Low drain-source ON resistance: RDS(on) typ. = 6 W (VGS = 4.0 V) 2: Source High-spe

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History: AP9997AGH-HF | PMG85XP | S-LP2307LT1G | HGW059N12S | RQ6E055BN | PMPB47XP | MPSY65M170

 

 
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