FK360602 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FK360602
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Paquete / Cubierta: SC-59A
Búsqueda de reemplazo de FK360602 MOSFET
FK360602 Datasheet (PDF)
fk360602.pdf

Doc No. TT4-EA-14201Revision. 5Product StandardsMOS FETFK360602ELFK360602ELSilicon N-channel MOSFETUnit : mm For switching circuits2.90.4 0.133 Features Low Drain-source On-state Resistance : RDS(on) typ = 1 (VGS = 4.5 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1 compliant)121.0 Marking Symbol :GV(0.95)(0.95)1.9
Otros transistores... FK330307 , FK330308 , FK330309 , FK330601 , FK3306010L , FK350301 , FK350601 , FK3506010L , IRFP450 , FK390601 , FK3906010L , FK3F0301 , FK3F0308 , FK4B0110 , FK4B0111 , FK4B0112 , FK6K0201 .
History: OSG65R200JF | CEB45N10 | CEP20P10 | RJK2017DPE | RJK1536DPN | HGK037N10S | IXTK20N140
History: OSG65R200JF | CEB45N10 | CEP20P10 | RJK2017DPE | RJK1536DPN | HGK037N10S | IXTK20N140



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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