FK3F0308 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FK3F0308
   Código: X8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6.8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-101

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FK3F0308

FK3F0308 Datasheet (PDF)

..1. Size:422K panasonic
fk3f0308.pdf

Doc No. TT4-EA-14911Revision. 1Product StandardsMOS FETFK3F03080LFK3F03080LSilicon N-channel MOSFETUnit : mm For switching circuits0.63 Features Low drive voltage : 2.5 V drive Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1 compliant) Marking Symbol :X812 Packaging0.39Embossed type (Thermo-compression sealing) : 10 000 pcs / reel (s

7.1. Size:261K panasonic
fk3f0301.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FK3F0301Silicon N-channel MOS FETFor switching circuitsFK330301 in Lead-less type package Overview PackageFK3F0301 is N-channel small signal MOS FET employed small size surface Codemounting package. ML3-N4-BPackage dimension clicks here. Click! Features Low drain-source ON resistance: RDS(

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: