FK3F0308 Todos los transistores

 

FK3F0308 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FK3F0308

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6.8 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: SC-101

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FK3F0308 datasheet

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FK3F0308

Doc No. TT4-EA-14911 Revision. 1 Product Standards MOS FET FK3F03080L FK3F03080L Silicon N-channel MOSFET Unit mm For switching circuits 0.6 3 Features Low drive voltage 2.5 V drive Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL Level 1 compliant) Marking Symbol X8 12 Packaging 0.39 Embossed type (Thermo-compression sealing) 10 000 pcs / reel (s

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FK3F0308

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). FK3F0301 Silicon N-channel MOS FET For switching circuits FK330301 in Lead-less type package Overview Package FK3F0301 is N-channel small signal MOS FET employed small size surface Code mounting package. ML3-N4-B Package dimension clicks here. Click! Features Low drain-source ON resistance RDS(

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