FK4B0111 Todos los transistores

 

FK4B0111 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FK4B0111

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.34 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 63 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.064 Ohm

Encapsulados: ALGA004

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FK4B0111 datasheet

 ..1. Size:2725K  panasonic
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FK4B0111

Doc No. TT4-EA-14955 Revision. 1 Product Standards MOS FET FK4B01110L FK4B01110L Single N-channel MOS FET Unit mm For Load switching circuits 0.60 4 3 TOP Features Low Drain-source ON resistance RDS(on) typ. = 57m (VGS = 2.5 V) 1 2 CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL Level 1 compliant) 0.15 Marking Symbol 1B BOTTOM Packaging

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FK4B0111

Doc No. TT4-EA-14956 Revision. 1 Product Standards MOS FET FK4B01120L FK4B01120L Single N-channel MOS FET Unit mm For Load switching circuits 1.0 3 4 TOP Features Low Drain-source ON resistance RDS(on) typ. = 17m VGS = 2.5 V) 1 2 CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL Level 1 compliant) 0.25 3 4 Marking Symbol 1C BOTTOM 2 1 Pa

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FK4B0111

Doc No. TT4-EA-14954 Revision. 2 Product Standards MOS FET FK4B01100L FK4B01100L Single N-channel MOS FET Unit mm For oad switching circuits 0.80 4 3 TOP Features Low Drain-source ON resistance RDS(on) typ. = 27 m (VGS = 2.5 V) 1 2 CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL Level 1 compliant) 0.20 Marking Symbol 1A BOTTOM Packagin

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