FK4B0112 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FK4B0112
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.37 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 3.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 184 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: ULGA004

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FK4B0112

FK4B0112 Datasheet (PDF)

..1. Size:2623K panasonic
fk4b0112.pdf

Doc No. TT4-EA-14956Revision. 1Product StandardsMOS FETFK4B01120LFK4B01120LSingle N-channel MOS FETUnit: mmFor Load switching circuits1.034TOP Features Low Drain-source ON resistance:RDS(on) typ. = 17mVGS = 2.5 V)1 2 CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)0.253 4 Marking Symbol: 1CBOTTOM2 1 Pa

7.1. Size:2725K panasonic
fk4b0111.pdf

Doc No. TT4-EA-14955Revision. 1Product StandardsMOS FETFK4B01110LFK4B01110LSingle N-channel MOS FETUnit: mmFor Load switching circuits0.604 3TOP Features Low Drain-source ON resistance:RDS(on) typ. = 57m(VGS = 2.5 V)1 2 CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)0.15 Marking Symbol: 1BBOTTOM Packaging

7.2. Size:2719K panasonic
fk4b0110.pdf

Doc No. TT4-EA-14954Revision. 2Product StandardsMOS FETFK4B01100LFK4B01100LSingle N-channel MOS FETUnit: mmFor oad switching circuits0.804 3TOP Features Low Drain-source ON resistance:RDS(on) typ. = 27 m(VGS = 2.5 V)1 2 CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)0.20 Marking Symbol: 1ABOTTOM Packagin

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: