FK4B0112 Todos los transistores

 

FK4B0112 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FK4B0112
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.37 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 184 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: ULGA004
 

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FK4B0112 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2623K  panasonic
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FK4B0112

Doc No. TT4-EA-14956Revision. 1Product StandardsMOS FETFK4B01120LFK4B01120LSingle N-channel MOS FETUnit: mmFor Load switching circuits1.034TOP Features Low Drain-source ON resistance:RDS(on) typ. = 17mVGS = 2.5 V)1 2 CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)0.253 4 Marking Symbol: 1CBOTTOM2 1 Pa

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FK4B0112

Doc No. TT4-EA-14955Revision. 1Product StandardsMOS FETFK4B01110LFK4B01110LSingle N-channel MOS FETUnit: mmFor Load switching circuits0.604 3TOP Features Low Drain-source ON resistance:RDS(on) typ. = 57m(VGS = 2.5 V)1 2 CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)0.15 Marking Symbol: 1BBOTTOM Packaging

 7.2. Size:2719K  panasonic
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FK4B0112

Doc No. TT4-EA-14954Revision. 2Product StandardsMOS FETFK4B01100LFK4B01100LSingle N-channel MOS FETUnit: mmFor oad switching circuits0.804 3TOP Features Low Drain-source ON resistance:RDS(on) typ. = 27 m(VGS = 2.5 V)1 2 CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)0.20 Marking Symbol: 1ABOTTOM Packagin

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History: BS870 | IPD60R1K5CE | NTMFS4C054N | CHM4955JGP | HGN052N10SL | CHM4435AZGP | AUIRF3805S

 

 
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