FM6K6201 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FM6K6201
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
Encapsulados: WSMINI6-F1-B
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FM6K6201 datasheet
fm6k6201.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). FM6K6201 Silicon N-channel MOS FET (FET) Silicon epitaxial planar type (SBD) For switching circuits For DC-DC converter circuits Overview Package FM6K6201 is N-channel single type small signal MOS FET with SBD Code employed small size surface mounting package. WSMini6-F1-B Package dimension clicks here. Click
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