FM6K6201 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FM6K6201
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
Paquete / Cubierta: WSMINI6-F1-B
Búsqueda de reemplazo de FM6K6201 MOSFET
FM6K6201 Datasheet (PDF)
fm6k6201.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FM6K6201Silicon N-channel MOS FET (FET)Silicon epitaxial planar type (SBD)For switching circuitsFor DC-DC converter circuits Overview PackageFM6K6201 is N-channel single type small signal MOS FET with SBD Codeemployed small size surface mounting package. WSMini6-F1-BPackage dimension clicks here. Click
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History: FIR4N65AFG | NCE40P20Q | IRF722FI | SSF65R600S2 | RD3T075CN | IRL3803PBF | RF1S9540SM
History: FIR4N65AFG | NCE40P20Q | IRF722FI | SSF65R600S2 | RD3T075CN | IRL3803PBF | RF1S9540SM



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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