FM6K6201 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FM6K6201
   Código: Y5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.3 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
   Paquete / Cubierta: WSMINI6-F1-B

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FM6K6201

FM6K6201 Datasheet (PDF)

..1. Size:322K panasonic
fm6k6201.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FM6K6201Silicon N-channel MOS FET (FET)Silicon epitaxial planar type (SBD)For switching circuitsFor DC-DC converter circuits Overview PackageFM6K6201 is N-channel single type small signal MOS FET with SBD Codeemployed small size surface mounting package. WSMini6-F1-BPackage dimension clicks here. Click

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: