FM6L52020L Todos los transistores

 

FM6L52020L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FM6L52020L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.54 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm

Encapsulados: WSSMINI6-F1

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FM6L52020L datasheet

 ..1. Size:250K  panasonic
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FM6L52020L

FM6L52020L FM6L52020L Silicon N-channel MOSFET(FET) Unit mm Silicon epitaxial planar type(SBD) For switching Features Low drain-source ON resistance RDS(on)typ = 80 m VGS = 4.0 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL Level 1 compliant) Marking Symbol Y6 Packaging 1. Gate 4. Cathode FM6L52020L Embossed type (Thermo-compression sealing)

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FM6L52020L

Doc No. TT4-EA-13149 Revision. 2 Product Standards MOS FET FM6L52020L FM6L52020L Silicon N-channel MOSFET(FET) Unit mm Silicon epitaxial planar type(SBD) 1.6 For switching 0.2 0.13 For DC-DC Converter 6 5 4 Features Low drain-source ON resistance RDS (on) typ. = 80 m ( VGS = 4.0 V ) Low drive voltage 1.8 V drive Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS

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