FM6L52020L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FM6L52020L
   Código: Y6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.3 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
   Paquete / Cubierta: WSSMINI6-F1

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FM6L52020L

FM6L52020L Datasheet (PDF)

..1. Size:250K panasonic
fm6l52020l.pdf

FM6L52020LFM6L52020LSilicon N-channel MOSFET(FET)Unit: mm Silicon epitaxial planar type(SBD)For switching Features Low drain-source ON resistance:RDS(on)typ = 80 mVGS = 4.0 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant) Marking Symbol: Y6 Packaging 1. Gate 4. CathodeFM6L52020L Embossed type (Thermo-compression sealing):

6.1. Size:351K panasonic
fm6l5202.pdf

Doc No. TT4-EA-13149Revision. 2Product StandardsMOS FETFM6L52020LFM6L52020LSilicon N-channel MOSFET(FET)Unit : mm Silicon epitaxial planar type(SBD)1.6For switching0.2 0.13For DC-DC Converter6 5 4 Features Low drain-source ON resistance : RDS (on) typ. = 80 m ( VGS = 4.0 V ) Low drive voltage : 1.8 V drive Halogen-free / RoHS compliant(EU RoHS

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Liste

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