FM6L52020L Todos los transistores

 

FM6L52020L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FM6L52020L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
   Paquete / Cubierta: WSSMINI6-F1
 

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FM6L52020L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  panasonic
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FM6L52020L

FM6L52020LFM6L52020LSilicon N-channel MOSFET(FET)Unit: mm Silicon epitaxial planar type(SBD)For switching Features Low drain-source ON resistance:RDS(on)typ = 80 mVGS = 4.0 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant) Marking Symbol: Y6 Packaging 1. Gate 4. CathodeFM6L52020L Embossed type (Thermo-compression sealing):

 6.1. Size:351K  panasonic
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FM6L52020L

Doc No. TT4-EA-13149Revision. 2Product StandardsMOS FETFM6L52020LFM6L52020LSilicon N-channel MOSFET(FET)Unit : mm Silicon epitaxial planar type(SBD)1.6For switching0.2 0.13For DC-DC Converter6 5 4 Features Low drain-source ON resistance : RDS (on) typ. = 80 m ( VGS = 4.0 V ) Low drive voltage : 1.8 V drive Halogen-free / RoHS compliant(EU RoHS

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History: BRFL10N65 | SSF4N60 | MTB55N06Q8 | STB80NF55-08T4 | HY3408AB | OSG07N65FF | WSP4410

 

 
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