SWP10N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWP10N65
Código: SW10N65
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 37 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 156 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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SWP10N65 Datasheet (PDF)
sw10n65 swp10n65 swf10n65.pdf
SAMWINSW10N65N-channel MOSFETTO-220F TO-220BVDSS : 650VFeaturesID : 10.0A High ruggednessRDS(ON) : 1.1ohm RDS(ON) (Max 1.1)@VGS=10V Gate Charge (Typ 47nC) Improved dv/dt Capability 1 122 2 100% Avalanche Tested3 31. Gate 2. Drain 3. Source1General Description3This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN.This
swf10n65d swmn10n65d swy10n65d swp10n65d swu10n65d swj10n65d.pdf
SW10N65DN-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220SF/TO-220FT/TO-220/TO-262/TO-262N MOSFETFeaturesTO-262 TO-262NTO-220F TO-220SF TO-220FT TO-220BVDSS : 650V High ruggednessID : 10A Low RDS(ON) (Typ 0.9)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 35nC)RDS(ON) : 0.9 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested2 Application: UPS,Inverter, 1 112 2 1 1 1
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SW10N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-251N /TO-252/ TO-262/TO-220SF MOSFET Features TO-220F TO-251N TO-262 TO-220 TO-252 TO-220SF BVDSS : 650V High ruggedness ID : 10A Low RDS(ON) (Typ 0.36)@VGS=10V RDS(ON) :0.36 Low Gate Charge (Typ29nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 Applicatio
swf10n50k swp10n50k swt10n50k swn10n50k swd10n50k.pdf
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