DTP4503 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DTP4503
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 312 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 45 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 110 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 220 nC
   Tiempo de subida (tr): 11 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1520 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

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DTP4503 Datasheet (PDF)

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dtp4503.pdf

N-Channel 4 -V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a, c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS TestedRoHS0.002 at VGS = 10 V 110COMPLIANT 4 240 nC0.00 at VGS = 4.5 V 1 0APPLICATIONS Synchronous RectificationTO-220AB Power SuppliesDGSG D STop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: