SDF10N100SXH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SDF10N100SXH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de SDF10N100SXH MOSFET
SDF10N100SXH Datasheet (PDF)
sdf10n60 sdp10n60 sdp10n60.pdf
SDP10N60SDF10N60aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () TypVDSS IDRugged and reliable.600V 10A 0.62 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package.DG D S G D S GSDP SERIES SDF SERIESTO-220 TO-220FSORDERING INFORMATIONOrdering Code Package M
Otros transistores... SDF054JAB-S , SDF054JAB-U , SDF100NA40HI , SDF100NA40JD , SDF10N100JEA , SDF10N100JEB , SDF10N100JEC , SDF10N100JED , 10N60 , SDF10N60 , SDF10N90GAF , SDF11N100GAF , SDF11N90GAF , SDF120JAA-D , SDF120JAA-S , SDF120JAA-U , SDF120JAB-D .
History: AP4P052J | CEU55N10 | BL7N70A-A | CJ7252KDW | AP60T03GJ-HF | 2SK3577 | APT40M70LVFRG
History: AP4P052J | CEU55N10 | BL7N70A-A | CJ7252KDW | AP60T03GJ-HF | 2SK3577 | APT40M70LVFRG
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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