NTB18N06G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTB18N06G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 108 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTB18N06G

NTB18N06G Datasheet (PDF)

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ntb18n06 ntb18n06g ntp18n06 ntp18n06 ntb18n06.pdf

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6.1. Size:85K onsemi
ntb18n06l ntp18n06l ntp18n06l ntb18n06l.pdf

NTP18N06L, NTB18N06LPower MOSFET15 Amps, 60 Volts,Logic LevelN-Channel TO-220 and D2PAKhttp://onsemi.comDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridge15 AMPERES, 60 VOLTScircuits.RDS(on) = 100 mWFeaturesN-Channel Pb-Free Packages are AvailableDTypical Applications Power Supplies

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