NTB5405NG MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

NTB5405NG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTB5405NG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 116 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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NTB5405NG datasheet

..1. Size:111K onsemi
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NTB5405N Power MOSFET 40 V, 116 A, Single N-Channel, D2PAK Features Low RDS(on) High Current Capability http //onsemi.com Low Gate Charge These are Pb-Free Devices ID MAX Applications V(BR)DSS RDS(ON) TYP (Note 1) Electronic Brake Systems 40 V 4.9 m @ 10 V 116 A Electronic Power Steering Bridge Circuits N-Channel MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless

8.1. Size:128K onsemi
ntb5404n ntp5404n.pdf pdf_icon

NTB5404N, NTP5404N Power MOSFET 40 V, 136 A, Single N-Channel, D2PAK & TO-220 Features Low RDS(on) http //onsemi.com High Current Capability ID MAX Low Gate Charge V(BR)DSS RDS(ON) TYP (Note 1) This is a Pb-Free Device 40 V 3.5 mW @ 10 V 136 A Applications D Electronic Brake Systems Electronic Power Steering N-Channel Bridge Circuits G MAXIMUM RATI

8.2. Size:117K onsemi
ntb5404nt4g ntp5404nrg.pdf pdf_icon

NTB5404N, NTP5404N, NVB5404N Power MOSFET 40 V, 167 A, Single N-Channel, D2PAK & TO-220 Features Low RDS(on) http //onsemi.com High Current Capability ID MAX Low Gate Charge V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVB5404N 40 V 4.5 mW @ 10 V 167 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant Applications D Electronic Brake

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History: NCE80T320D

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