NTB5411NT4G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTB5411NT4G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 122 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 615 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Encapsulados: D2PAK
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NTB5411NT4G datasheet
ntb5404n ntp5404n.pdf
NTB5404N, NTP5404N Power MOSFET 40 V, 136 A, Single N-Channel, D2PAK & TO-220 Features Low RDS(on) http //onsemi.com High Current Capability ID MAX Low Gate Charge V(BR)DSS RDS(ON) TYP (Note 1) This is a Pb-Free Device 40 V 3.5 mW @ 10 V 136 A Applications D Electronic Brake Systems Electronic Power Steering N-Channel Bridge Circuits G MAXIMUM RATI
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History: NCEA2309
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