SDF11N90GAF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SDF11N90GAF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 110 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm

Encapsulados: TO254

 Búsqueda de reemplazo de SDF11N90GAF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SDF11N90GAF datasheet

 6.1. Size:153K  solitron
sdf11n90.pdf pdf_icon

SDF11N90GAF

 8.1. Size:161K  solitron
sdf11n100.pdf pdf_icon

SDF11N90GAF

Otros transistores... SDF10N100JEA, SDF10N100JEB, SDF10N100JEC, SDF10N100JED, SDF10N100SXH, SDF10N60, SDF10N90GAF, SDF11N100GAF, 10N60, SDF120JAA-D, SDF120JAA-S, SDF120JAA-U, SDF120JAB-D, SDF120JAB-S, SDF120JAB-U, SDF120JDA-D, SDF120JDA-S