NTBV45N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTBV45N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 341 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 352 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTBV45N06

NTBV45N06 Datasheet (PDF)

..1. Size:138K onsemi
ntbv45n06 ntbv45n06l.pdf

NTB45N06L, NTBV45N06LPower MOSFET45 Amps, 60 VoltsLogic Level, N-Channel D2PAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inhttp://onsemi.compower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.45 AMPERES, 60 VOLTSFeaturesRDS(on) = 28 mW Higher Current RatingN-Channel Lower RDS(on)D Lower VDS(on) Lower Capacitances

..2. Size:142K onsemi
ntb45n06 ntbv45n06.pdf

NTB45N06, NTBV45N06Power MOSFET45 Amps, 60 VoltsN-Channel D2PAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.http://onsemi.comFeatures Higher Current Rating45 AMPERES, 60 VOLTS Lower RDS(on)RDS(on) = 26 mW Lower VDS(on) Lower CapacitancesN-Channel Lower Total Gat

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History: AFN4998 | IPA70R900P7S

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: