NTBV45N06L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTBV45N06L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 15 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 45 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Carga de la puerta (Qg): 23 nC
Tiempo de subida (tr): 341 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 352 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.028 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTBV45N06L
NTBV45N06L Datasheet (PDF)
ntbv45n06 ntbv45n06l.pdf
NTB45N06L, NTBV45N06LPower MOSFET45 Amps, 60 VoltsLogic Level, N-Channel D2PAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inhttp://onsemi.compower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.45 AMPERES, 60 VOLTSFeaturesRDS(on) = 28 mW Higher Current RatingN-Channel Lower RDS(on)D Lower VDS(on) Lower Capacitances
ntb45n06 ntbv45n06.pdf
NTB45N06, NTBV45N06Power MOSFET45 Amps, 60 VoltsN-Channel D2PAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.http://onsemi.comFeatures Higher Current Rating45 AMPERES, 60 VOLTS Lower RDS(on)RDS(on) = 26 mW Lower VDS(on) Lower CapacitancesN-Channel Lower Total Gat
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