NTBV45N06L Todos los transistores

 

NTBV45N06L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTBV45N06L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 23 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 341 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 352 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

NTBV45N06L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  onsemi
 ntbv45n06 ntbv45n06l.pdf pdf_icon

NTBV45N06L

NTB45N06L, NTBV45N06LPower MOSFET45 Amps, 60 VoltsLogic Level, N-Channel D2PAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inhttp://onsemi.compower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.45 AMPERES, 60 VOLTSFeaturesRDS(on) = 28 mW Higher Current RatingN-Channel Lower RDS(on)D Lower VDS(on) Lower Capacitances

 5.1. Size:142K  onsemi
 ntb45n06 ntbv45n06.pdf pdf_icon

NTBV45N06L

NTB45N06, NTBV45N06Power MOSFET45 Amps, 60 VoltsN-Channel D2PAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.http://onsemi.comFeatures Higher Current Rating45 AMPERES, 60 VOLTS Lower RDS(on)RDS(on) = 26 mW Lower VDS(on) Lower CapacitancesN-Channel Lower Total Gat

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History: KI502DT | CM6N60F | TDM3420

 

 
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