NTD32N06L Todos los transistores

 

NTD32N06L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTD32N06L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93.75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 221 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 343 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de NTD32N06L MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

NTD32N06L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  onsemi
 ntd32n06l ntd32n06l ntd32n06lg.pdf pdf_icon

NTD32N06L

NTD32N06LPower MOSFET32 Amps, 60 VoltsLogic Level, N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inhttp://onsemi.compower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.VDSS RDS(ON) TYP ID MAXFeatures Smaller Package than MTB30N06VL60 V23.7 mW32 A Lower RDS(on), VDS(on), and Total Gate Charge Lower and Tighter

 6.1. Size:66K  onsemi
 ntd32n06-001 ntd32n06 ntd32n06-d.pdf pdf_icon

NTD32N06L

NTD32N06Power MOSFET32 Amps, 60 Volts, N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.http://onsemi.comFeatures Pb-Free Packages are AvailableV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Smaller Package than MTB36N06V60 V 26 mW 32 A Lower RDS(on) Lower VDS(on)N-Channel

Otros transistores... NTD3055-094-1 , NTD3055-094-1G , NTD3055-150T4 , NTD3055L104T4G , NTD3055L170T4G , NTD30N02G , NTD32N06 , NTD32N06-001 , K4145 , NTD32N06LG , NTD3808N-1G , NTD3813N-1G , NTD3817N-1G , NTD40N03R-1G , NTD40N03RG , NTD4302-1G , NTD4804N-1G .

History: 2SK857 | NTHS4101PT1G | 2SK2070

 

 
Back to Top

 


 
.