NTD40N03R-1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTD40N03R-1G
   Código: T40N03G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 25 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 32 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
   Carga de la puerta (Qg): 5.78 nC
   Tiempo de subida (tr): 19.5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 254 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

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NTD40N03R-1G Datasheet (PDF)

..1. Size:119K onsemi
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NTD40N03RPower MOSFET45 A, 25 V, N-Channel DPAKFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performance Low RDS(on) to Minimize Conduction Losshttp://onsemi.com Low Ciss to Minimize Driver Loss Low Gate Charge45 AMPERES, 25 VOLTS Optimized for High Side Switching Requirements inRDS(on) = 12.6 mW (Typ)High-Efficiency DC-DC Converters These are Pb-Fr

5.1. Size:122K onsemi
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5.2. Size:1437K cn vbsemi
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NTD40N03Rwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.007 at VGS = 10 V 5030 25 nC0.009 at VGS = 4.5 V 40APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSO

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Liste

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