NTD85N02R-001 Todos los transistores

 

NTD85N02R-001 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTD85N02R-001
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 77 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 871 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

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NTD85N02R-001 Datasheet (PDF)

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NTD85N02R-001

NTD85N02RPower MOSFET24 Volts, 85 AmpsSingle N-Channel,DPAK/IPAKhttp://onsemi.comFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching PerformanceV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses24 V 5.2 mW @ 10 V 85 A Low Gate Charge to Minimize Switching Losses Pb-Free Packages are AvailableN-Ch

 5.1. Size:83K  onsemi
 ntd85n02r.pdf pdf_icon

NTD85N02R-001

NTD85N02RPower MOSFET85 Amps, 24 VoltsN-Channel DPAKFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are Available Planar HD3e Process for Fast Switching Performance VDSS RDS(ON) TYP ID MAX Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss24 V4.8 mW85 A Low Ciss to Minimize Driver Loss Low Gate ChargeN-ChannelDMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C Unless otherwise specified

Otros transistores... NTD70N03RG , NTD78N03 , NTD80N02 , NTD80N02-001 , NTD80N02-1G , NTD80N02G , NTD80N02T4 , NTD85N02R , 7N65 , NTD85N02R-1G , NTD85N02RT4 , NTD95N02R , NTD95N02R-1G , NTD95N02RT4 , NTDV18N06LT4G , NTDV20N06 , NTDV20N06L .

History: NP82N04NLG | CEU21A2 | 2SK3873-01 | AO3498 | IRLR8729PBF | UPA2451CTL | SGSP382

 

 
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